?GB/T 5170.8-2008替代原先GB/T 5170.8-1996所使用，本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了鹽霧試驗(yàn)設(shè)備的檢定項(xiàng)目、檢定用儀器、測量點(diǎn)的位置與數(shù)量、檢定步驟和檢定數(shù)據(jù)的處理與檢定結(jié)果。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于對GB/T 2423.17《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Ka:鹽霧試驗(yàn)方法》和GB 2423.18《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Kb:交變鹽霧試驗(yàn)方法(氯化鈉溶液)》所用鹽霧試驗(yàn)設(shè)備的周期檢定。

本標(biāo)準(zhǔn)也適用于類似設(shè)備的周期檢定。

GB/T 5170目前包含以下凡部分：

-GB/T5170.1-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備檢驗(yàn)方法 總則

-GB/T 5170.2--2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備檢驗(yàn)方法 溫度試驗(yàn)設(shè)備

-GB/T5170.5- 2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備檢驗(yàn)方法濕熱試驗(yàn)設(shè)備

-GB/T 5170. 8-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備檢驗(yàn)方法 鹽霧試驗(yàn)設(shè)備

-GB/T 5170. 9-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備檢驗(yàn)方法 太陽輻射試驗(yàn)設(shè)備

-GB/T5170. IO-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備檢驗(yàn)方法高低溫低氣壓試驗(yàn)設(shè)備

-GB/T5170. 11-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備檢驗(yàn)方法 腐蝕氣體試驗(yàn)設(shè)備

-GB/T 5170. 13 - 2005 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 振動(dòng)(正弦)試驗(yàn)用機(jī)械振動(dòng)臺(tái)

-GB/T 5170. 14-1985 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 振動(dòng)(正弦)試驗(yàn)用電動(dòng)振動(dòng)臺(tái)

-GB/T5170. 10-2005 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 振動(dòng)(正弦)試驗(yàn)用液壓振動(dòng)臺(tái)

-GB/T5170.16-2005 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 穩(wěn)態(tài)加速度試驗(yàn)用離心機(jī)

-GB/T 5170. 17-2005 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 低溫/低氣壓/濕熱綜臺(tái)順序試驗(yàn)設(shè)備

-GB/T 5170.18-2005 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 溫度/濕度組臺(tái)循環(huán)試驗(yàn)設(shè)備

-GB/T 5170,.19-2005 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基率參數(shù)檢定方法溫度/振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)設(shè)備

-一GB/T 5170.20--2005 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 水試驗(yàn)設(shè)備

本部分是GB/T5170的第8部分。